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• 금속 질화 산화물 반도체, 金屬窒化酸化物半導體, Metal Nitride Oxide Semiconductor, MNOS

  금속 산화물 반도체(MOS, 모스) 소자와 비슷한 구조이며, 게이트 절연물로 2㎜ 정도의 얇은 산화 규소 피막과 50㎜ 정도의 두꺼운 질화 규소 피막을 사용한 것. 게이트에 대전압을 가함으로써 정보를 기록하고, 소전압에 의해서 비파괴적으로 판독할 수 있다. 정적 램(SRAM)의 하나이다.